電磁波干擾、電波干擾、AC磁場干擾、DC雜散磁場變動干擾均為電磁干擾(EMI)類型之一，功率密度強度達到一定程度對人體及儀器設備會產生危害。
對人體產生不良影響如神經系統、中樞神經作用、白血病、癌症、腦瘤、生殖系統、免疫細胞功能衰退、基因突變、影響內分泌功能、干擾睡眠、心血管疾病增加、引起腦病變及新生兒畸形等等問題。
從流行學來看，暴露在四毫高斯(4mG)的電磁波下，會增加罹患小兒白血病風險，且每超過一毫高斯(1mG)，罹癌風險增加一倍。
對儀器設備產生不良影響如電子束微影機(EBL)、電子顯微鏡(TEM、SEM)、顯示器等因外在電磁場產生偏移或閃動；精密之通信、資訊、電腦、測試儀器設備及醫療儀器設備因迴路偶合外在電磁場而產生運作不正常干擾。尤其藉由磁場控制達到解析度達數奈米的製程或檢測對環境之雜散磁場(strayfield)要求更為嚴格，其應藉由適當的磁場屏蔽解決方案達到磁場衰減隔離目的。
電磁波EMI屏蔽分成主動屏蔽(ActiveShielding)及被動屏蔽(PassiveShield)。主動屏蔽譬如磁場補償系統，被動屏蔽譬如磁場衰減隔離室、磁場隔離箱、電波隔離室、電波暗室、電磁波衰減改善工程等。
一般射頻、平面波、微波等高頻電磁波干擾可經由適當的屏蔽(shielding)、接地(grounding)與濾波(filtering)則可將其干擾衰減降低。
低頻、超低頻磁場環境需要高導磁材料來屏蔽干擾源是一重要防制方法；反制磁場補償系統對於較大空間，強度過大磁場干擾或非即時取樣時間延遲因素有時不一定完全適用。當然遷移也是防制的方法之一。
我們常聽到的「毫高斯(mG)」，是用來測量靜磁場強度的單位。所以，當使用高斯計(GuassMeter)來測量電磁波的磁場強度時，量測的頻率範圍必須低於100KHz。
容許磁場強度視情況需要而定譬如電子顯微鏡配置的環境需要1毫高斯(mG)以下、人體生活的環境背景值需要4mG以下。鄰近建築物內受電室、變電室的環境背景及避免CRT顯示器畫面跳動需在10mG以下。
目前對環境電磁波訂定標準，瑞士新設電力設施為10mG，義大利新設施為30mG。
本國環保署對學校醫院等敏感地區的環境電磁波標準傾向義大利的訂定標準，目前已著手研擬修法。
大樓、商業大樓、精密生產工廠常見的電磁干擾（EMI）：
1.電力配電設備如變壓器、電容器、配電盤等。
2.電力引進（輸入）電纜。
3.電力輸出電纜－分配到樓層電力配線電纜、同層間電力配線電纜。
4.動力馬達如電梯控制室內電梯動力馬達、生產工廠各類動力馬達。
5.變頻器。
6.電抗器。
7.UPS(不斷電系統)。
8.自備發電機。
因此在建築設計、電力機電設計上及半導體製程與檢測技術需考慮防範電磁干擾、環境雜散磁場(STRAYFIELD)應實施基本措施如低磁場輻射線槽、磁場衰減隔間、磁場隔離室、磁場隔離箱等。在實驗室、機密儀器通訊資訊機房需考慮防範電磁波干擾需要電波隔離室、電波暗室、電磁波衰減改善工程。以上本公司均可提供必要的規劃、殷勤服務及有效應用材料。 |
